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　　表性的集成電路有襯底為硅單晶的雙極性Ic以及MOS IC(金屬一氧化物一半導(dǎo)體堆)等半導(dǎo)體集成電路。本文將要討論以超高集成化(VLSI)和超高速化為方向而開發(fā)的這些半導(dǎo)體集成電路中絕緣漆所起的作用，以及伴隨著超I.SI化的發(fā)展，今后將提出什么樣的絕緣膜技術(shù)等。

　　半導(dǎo)體集成電路是在一個(gè)單晶基片上形成非常多的(已達(dá)10s元件/芯片)雙極晶體管和MOS晶體管等器件，為了發(fā)揮各自所定的功能，并用布線互相連結(jié)起來(lái)。在這種半導(dǎo)體集成電路中，對(duì)絕緣漆的利用，可根據(jù)其作用和所要求的特性以及在膜形成工藝中所提出的條件，分類如下：

　　1、例如MOS晶體管中的柵絕緣膜，利用了絕緣漆/半導(dǎo)體界面現(xiàn)象，由此可實(shí)現(xiàn)有源器件的功能;

　　2、和器件相接觸，如覆蓋在晶體表面的SiOz膜，可以使晶體表面的化學(xué)性質(zhì)以及電學(xué)性質(zhì)不活潑，從而達(dá)到穩(wěn)定器件特性的目的;

　　3、如在器件之間的晶體表面上形成的SiOz膜，使器件之間電氣隔離并在表面上相互布線為目的的絕緣漆(場(chǎng)氧化膜);

　　4、布線層之間電氣絕緣為目的的層間絕緣漆;

　　5、從物理的和化學(xué)的角度保護(hù)器件為目的，在集成電路的表面上形成的作為表面覆蓋膜的絕緣漆;

　　6、用于集成電路工藝\中，并用在雜質(zhì)擴(kuò)散、腐蝕、襯底表面氧化等進(jìn)行局部工藝時(shí)的掩模等。